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近日，北京航空航天大学与中科院微电子所联合成功制备国内首个80nm自旋转移矩--磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。
北航与微电子所联合成功制备国内首个80nm STT-MRAM器件
【摘 要】
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近日，北京航空航天大学与中科院微电子所联合成功制备国内首个80nm自旋转移矩--磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2017年7期
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