【摘 要】
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研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响.随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶
【机 构】
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Semiconductor Ceramics Laboratory,Department of Electrical Engineering,Dongeui University,Busan 614-
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研究烧结温度的细微变化对V-Mn-Nb-Gd共掺杂氧化锌陶瓷显微组织、电性能、介电性能和衰减行为的影响.随着烧结温度的升高,烧结球团密度由5.54 g/cm3降低到5.42 g/cm3,平均晶粒尺寸由4.1μm增大至11.7μm,击穿场强由7138 V/cm急剧降低至920 V/cm.在900℃烧结的压敏陶瓷呈现极佳的非线性(非欧姆)特性,其非线性系数和漏电流密度分别为66和77 μA/cm2.在性能稳定性方面,在85℃、24h和0.85E1 mA的直流加速应力下,经900℃烧结的压敏陶瓷呈现最强的加速衰减特性,且其△E1mA=-9.2％.
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