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锰氧化合物在计算机硬盘和磁头等领域有着广泛的应用。本实验用高温烧结法制备了半掺杂锰氧化合物Pr0.5La0.2Sr0.3MnO3陶瓷,测试结果表明,在温度从5K增加到300K的过程中,样品依次由反铁磁绝缘体转变为铁磁半导体、铁磁金属、顺磁半导体。在发生反铁磁-铁磁和铁磁-顺磁两种转变温度处,样品在较低的外加磁场作用下,都表现出了较强的庞磁电阻效应。