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从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等，从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因，给出非晶态半导体的阈值开关的“开态”和“关态”时的形成过程，对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析，从而论述非晶态半导体的阈值开关机理。