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使用直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）装置,控制合适的工艺参数可对置于其阴阳极上的试样沉积出以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>为主要成分的薄膜,本文提出了在阴极以及阳极上都能使试样表面得到这种薄膜的机制模型。正电荷的积累和自由电子的质扩散对于阴极试样表面薄膜的形成起着重要的作用。阳极试样表面薄膜的形成则与电子的积累和正离子的扩散及重力对粒子的作用有关。