基于0013μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计

来源 :南通大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxm181512619
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采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9~1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0~60℃之间时,温度系数不超过44ppm/K,电源抑制比为66dB,最大功耗小于0.5μW.基于GSMC0.13μmlP8MCMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2mm×0.15mm.
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