日立与瑞萨科技发布低功耗MOS相位转换存储器单元

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日立有限公司(Hitachi)与瑞萨科技公司(Renesas Technology)发布低功耗相位转换存储器单元的成功原型,这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程,与采用以前技术的产品相比,每个单元的功耗可降低50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的 Hitachi and Renesas Technology have released successful prototypes of low-power phase-shift memory cells that operate at 1.5V supply and current as low as 100μA For programming, the power consumption per unit can be reduced by 50% compared to prior art products. In addition, relative to the existing non-volatile memory, new
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