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,Improvement of doping efficiency in Mg-Al0.14Ga0.86N/GaN superlattices with AlN interlayer by suppr
【作 者】
：
【机 构】
：
State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,School of Physics,Peking U
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2012年11期
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