论文部分内容阅读
用动态离子柬混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜。用Ar^+束溅射沉积薄膜的同时,分别用100keV,2×10^17/cm^2的O^+离子或100keV,8×10^16/cm^2的Ar^+进行辐照。对两种工艺下生成的氧化钽薄膜进行了XPS、AES及RBS分析研究,结果发现,Ar^+辐照下制备的氧化物薄膜主要由符合化学剂量比的Ta2O5化合物组成,引入的碳污染少。O^+辐照下制备的薄膜生成了低价的氧化钽,引入了大量的碳污染。