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用动态离子柬混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜。用Ar^＋束溅射沉积薄膜的同时，分别用100keV，2×10^17／cm^2的O^＋离子或100keV，8×10^16／cm^2的Ar^＋进行辐照。对两种工艺下生成的氧化钽薄膜进行了XPS、AES及RBS分析研究，结果发现，Ar^＋辐照下制备的氧化物薄膜主要由符合化学剂量比的Ta2O5化合物组成，引入的碳污染少。O^＋辐照下制备的薄膜生成了低价的氧化钽，引入了大量的碳污染。