【摘 要】
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采用高功率脉冲磁控溅射技术于Si基底表面制备了类石墨碳膜,研究了基体偏压对薄膜沉积速率、微观结构、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明:随着基底偏压的增高,GLC薄
【机 构】
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天津师范大学,中科院宁波材料技术与工程研究所,
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采用高功率脉冲磁控溅射技术于Si基底表面制备了类石墨碳膜,研究了基体偏压对薄膜沉积速率、微观结构、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明:随着基底偏压的增高,GLC薄膜sp2含量呈先减小后增加的趋势,在-100 V时达到最小值;其表面粗糙度逐渐降低;硬度和内应力逐渐增大;在基体偏压为-300 V时薄膜的摩擦性能最好,高sp2含量、高硬度和低表面粗糙度共同决定了GLC薄膜优异的摩擦学性能。
Graphite-like carbon films were prepared on Si substrate by high-power pulsed magnetron sputtering. The effects of substrate bias on the deposition rate, microstructure, mechanical properties and tribological properties of the films were investigated. The results show that with the increase of substrate bias, the sp2 content of GLC films decreases first and then increases, reaches the minimum value at -100 V, the surface roughness gradually decreases, and the hardness and internal stress increase gradually. When the bias voltage is -300 V, the tribological properties of the films are the best. The high sp2 content, high hardness and low surface roughness jointly determine the excellent tribological properties of GLC films.
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