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本文主要考虑不同掺杂量对水热合成Zn1-xNixO稀磁半导体粉体的影响。采用水热法,以3 mol/L NaOH作为矿化剂,在240℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.05,0.1,0.2),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD、FE-SEM测试表征晶体的物相组成和晶体形貌,XRD表明所制备的Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体晶体发育比较完整。通过UV-vis测试进一步说明掺杂的效果。VSM测试表明,所制备的样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性。