【摘 要】
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介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,
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介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。
A large-signal equivalent circuit model of a millimeter-wave GaN-based HEMT device is introduced. The model uses the SDD modeling method. The expressions of I-V and C-V are proposed, the fitting of DC and S parameters is completed, and the fitting result is analyzed. Compared with the loadpull test results of the 18GHz chip, the simulation results show that the output power and efficiency are basically consistent with the measured data.
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