应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tadpoleFLY
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采用直流磁控溅射的方法制备了ZnO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器。X射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜分析观察到ZnO垂直于基片表面的柱形晶粒结构和较平滑的薄膜表面。体声波器件的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性,说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波,可应用于体声波器件和声表面波器件中。另外采用间接的方法得到ZnO压电薄膜在870MHz时的介电常数约为5.24,介电损耗
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