【摘 要】
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一、前言人们所关心的超高速IC及光电IC(?)OEIC的开发正在引人注目,期望GaAs器件的兴旺时代即将来临。但就其实现而言仍有一定的问题,被认为用作基板的半绝缘性GaA单晶的质
【机 构】
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光技术共同研究所,光技术共同研究所
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一、前言人们所关心的超高速IC及光电IC(?)OEIC的开发正在引人注目,期望GaAs器件的兴旺时代即将来临。但就其实现而言仍有一定的问题,被认为用作基板的半绝缘性GaA单晶的质量就是其中的一个问题。对于半绝缘性GaAs晶体来说,其位错高达10~4~10~5/cm~2的数量级。随着原料中的杂质、熔液组分、熔液的搅拌状态、液封剂B_2O_3中的水分、生长室气体等不同生长条件下其特性发
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