论文部分内容阅读
本文研究了CuO气相扩散及其热处理制度对半导化SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。用SEM和TEM对显微结构进行了分析,发现CuO被限制在晶界层中,并富集和离析。用CuO气相扩散法成功地获得了ε(app)>60000、tgδ<0.02、ρ>10~(10)Ω·cm、|ΔC/C|≤9.1(-25～+85℃)的SrTiO_3基晶界层电容器。