【摘 要】
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加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相
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加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相结合,在铝镓氮/氮化镓界面处的二维电子气能提供较高的导电性能,而垂直结构能使得产品在较低峰值的条件下具有较好的电场分布。
Recently, Santa Barbara University in California and Arizona State University recently developed a gallium nitride current-aperture vertical electron transistor (CAVET), which has a p-type buried layer, can produce reverse bias pn junction. CAVET combines two-dimensional electron gas with a vertical structure that provides two-dimensional electron gas at the AlGaN / GaN interface with high electrical conductivity while the vertical structure allows the product to have a lower peak-to- Good electric field distribution.
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