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和传统的场效应管不同，驱动式场效应管是将传统MOSFET供电中分离的两组场效应管和驱动IC芯片以更加先进的制程整合在一片芯片中。三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。它能够在主板高负荷运作时，让主板获得高的用电效率，减少能源浪费，进而达到省电的效果。而在超频效果方面，DrMOS的超低电源反应时间和低电阻特性，也能力助极限超频玩家取得更好的超频成绩。目前，这种供电元件主要使用在高端主板上，而它在华硕、技嘉、微星等品牌的主板上的使用范