【摘 要】
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以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1 900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料.运用XRD、高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,南京工业大学材料科学与工程学院
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以氮化铝、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,1 900～2000℃、氮气氛下,制备了AlN-SiC复相材料.运用XRD、高分辨率透射电子显微镜、网络分析仪等测试手段,研究了微波衰减剂碳化硅含量及AlN-SiC部分固溶体的形成对材料微波衰减性能的影响,结果表明:AlN-SiC复相材料的频谱特性随衰减剂碳化硅含量的变化而呈现出选频衰减、宽频衰减等特性.当衰减剂SiC质量分数少于40%时,AlN-SiC复合材料具有选频衰减特性,SiC含量为40%～60%时,复合材料具有宽频衰减特性.AlN-SiC部分固溶体的形成有助于改善材料的宽频衰速特性.
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