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利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN／Ti多层膜．考察了不同Ti间隔层对多层膜硬度和结合力的影响，分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理；利用正交实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响，对工艺参数进行了优化．结果表明，靶电流对缺陷密度的影响最大，气体压力次之，基体偏压对缺陷密度影响最小；当靶电流I=20A、气体压力ρ（Ar＋N2）=0．31Pa、基体偏压Vbias=-16m--300V和Ti间隔层厚度x-=0．12μm时，制备出硬度HV0．2N=2250、膜基间结合力