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利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面低温生长了ＣｄＴｅ介质薄膜。分别用ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ自身阳极氧化膜对ＨｇＣｄＴｅ表面钝化，利用光电导衰退信号波形的拟合，得到了不同表面钝化的ＨｇＣｄＴｅ非平衡载流子表面复合速度。结果表明，ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面质量已超过自身阳极氧化膜／ＨｇＣｄＴｅ界面质量。