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  5. Efficiency analysis of a—SiC：H thin film light emitting diodes

Efficiency analysis of a—SiC：H thin film light emitting diodes

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huwenrou
【摘 要】
：
The hole injection ,the radiative recombination and the device lumi-nescent efficiencies of amorphous silicon carbide thin film p-I-n junction light emit-ting d
【作 者】
：
ZHOUYaxun 
【机 构】
：
Dept.ofphysics
【出 处】
：
半导体光子学与技术：英文版
【发表日期】
：
1995年1期
【关键词】
：
发光二极管 碳化硅 薄膜 注入系数 Amorphous Semiconductors Thin Film Devices Light Emitting Diod 
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The hole injection ,the radiative recombination and the device lumi-nescent efficiencies of amorphous silicon carbide thin film p-I-n junction light emit-ting diodes are quantitatively calculated,and the effect of the carrier (especially the hole)injectio
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