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采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga2O3:In单晶的吸收光谱和电学性能。结果表明:与纯β-Ga2O3单晶相比,β-Ga2O3:In单晶在红外波段存在明显吸收。β-Ga2O3:In单晶的电导率在10–2量级,Holl载流子浓度可以达到6×1019/cm2,说明掺杂In3+对β-Ga2O3单晶的电学性能有明显改善。