【摘 要】
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采用二次烧结法制备SrTiO3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒
【机 构】
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湖北大学物理与电子科学学院,贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(11674086),贵州省经济和信息化委员会技术创新项目(2017021)资助.
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采用二次烧结法制备SrTiO3(STO)多晶陶瓷,研究瓷片介电性能与烧结温度和晶粒大小的关系.实验结果表明,STO晶粒尺寸随烧结的温度呈现先升高后下降的变化,相应的介电常数与晶粒变化类似,即随着温度升高先升后降.在保证还原性气体比例不变的条件下,STO瓷片的介电性能在1440℃烧结2h时达到最佳,介电常数为24000,损耗在0.02左右,温度系数小于20%.该结果基本达到Ⅲ类瓷技术标准,可广泛用于低频高介电路中.
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