【摘 要】
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利用气相蒸发技术成功的制备了两个ＣｕＣｌ团簇薄膜样品，ＣｕＣｌ团簇被沉积到单晶Ｓｉ和石英衬底上，然后覆盖一层ＮａＣｌ以防氧化，通过透射电镜和选区衍射观察得知，两具样品主要由ＣｕＣｌ纳米晶和少量的Ｃｕ聚集体构成
【机 构】
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西北师范大学物理系,甘肃省物资学校
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利用气相蒸发技术成功的制备了两个ＣｕＣｌ团簇薄膜样品，ＣｕＣｌ团簇被沉积到单晶Ｓｉ和石英衬底上，然后覆盖一层ＮａＣｌ以防氧化，通过透射电镜和选区衍射观察得知，两具样品主要由ＣｕＣｌ纳米晶和少量的Ｃｕ聚集体构成，其中ＣｕＣｌ纳米晶的直么分别约为３ｎｍ和６ｎｍ；通过室温下测得的光吸收和荧光光谱，发现ＣｕＣｌ激子吸收峰并未出现，而荧光峰向低能方向移动，这可能是激子－声子强相互引起的结果，在７７Ｋ温度观察
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