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用紧束缚方法研究了三元准周期半导体超晶格的电子态，讨论了杂质对三元准周期超晶格系统的电子隧穿透射率谱及电子态几率分布的影响.结果表明，杂质的存在对系统的电子隧穿透射率谱有明显的影响，杂质所处位置和杂质性质的不同都会使系统的电子态发生变化.
三元准周期半导体超晶格的电子态
【摘 要】
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用紧束缚方法研究了三元准周期半导体超晶格的电子态，讨论了杂质对三元准周期超晶格系统的电子隧穿透射率谱及电子态几率分布的影响.结果表明，杂质的存在对系统的电子隧穿透射
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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华南理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年2期
【基金项目】
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教育部高校骨干教师资助计划，广东省自然科学基金
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