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由于本所原有生产工艺生产的肖特基小电流芯片可靠性等级不够,只能用于生产民用塑封产品.本文论述了一种工艺改良方法,即利用金属硅化物一硅接触势垒代替旧工艺中的的金属一硅接触势垒.新工艺使势垒界面横向结构十分稳定,芯片的高温性能、正向特性、反向耐压与抗浪涌冲击能力得到了很大的提高,可靠性大大增强,所生产的芯片质量等级满足了生产军用玻封器件所需的等级要求.