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用溅射法在Si片上制备了厚度为140 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜.X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构.在1.5～4.5 eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量.分别用德鲁德-洛伦茨谐振子(Drude+Lorenzoscillators)模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、△进行了拟合,得到ITO薄膜的折射指数 n 的变化范围在1.8～2.6之间,可见光范围内消光系数 k 接近于零,在350 nm波长附近开始明显变化,且随着波长的减小 k 迅速增加.计算得到直接和间接光学带隙分别是3.8 eV和4.2 eV.并在1.5～4.5 eV段给出一套较为可靠的、具有实用价值的ITO介电常量和光学常量.