场发射技术在强流真空电子器件中的应用

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【摘要】

：

阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷.以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性

【作者】

：

董长昆翟莹

【机构】

：

温州大学微纳结构与光电器件研究所

【出处】

：

真空电子技术

【发表日期】

：

2012年6期

【关键词】

：

场致发射碳纳米管大功率真空电子器件 Field emission Carbon nanotube High power Vacuum electronic

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阴极电子源是强流真空电子器件的核心部件,热阴极存在热辐射能耗大、开启时间偏长、高温下材料蒸发等缺陷.以碳纳米管(CNT)为代表的场发射技术在克服热阴极缺陷、提高器件性能上显示了卓越的潜力.本文回顾了基于CNT、场发射阵列等场发射阴极的强流器件(微波管、X射线管等)的发展现状,并对场发射技术存在的不足和可能的解决途径进行了讨论.

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