【摘 要】
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<正> 在半导体材料工业与科研中,对气相外延反应器(即CVD反应器)中硅外延层生长速率的研究提出了计算截锥速度与质量附面层的问题.桶式CVD反应器是一种先进的反应器,其剖面简
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<正> 在半导体材料工业与科研中,对气相外延反应器(即CVD反应器)中硅外延层生长速率的研究提出了计算截锥速度与质量附面层的问题.桶式CVD反应器是一种先进的反应器,其剖面简图如图1所示,基座为截锥形,含硅气体自上而下流过。对基座上外延层的生长均匀性要求很高,它与各点生长速率有关,而在质量转移控制过程中,生长速率取决于气相质量转移系数。其中(?)为质量(浓度)附面层厚度。为此,本文给出截锥纵向绕流时的速度和质量附面层厚度的计算方法,并考虑了器壁效应的影响,为桶式CVD反应器的研究与设计提供了理
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