【摘 要】
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本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10~(15)/cm~2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm~2)的BF_2~+注入后的Si样品,分析了离子注入损伤的深度
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,Central Research Institute For Phys
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本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV,剂量为2×10~(15)/cm~2,束流为20—140μA(束流强度0.41—2.86μA/cm~2)的BF_2~+注入后的<100>Si样品,分析了离子注入损伤的深度分布和移位原子浓度的变化,发现了用常规背散射沟道分析技术所不能观测到的表层损伤的束流效应细节,并对这些现象进行了讨论。
In this paper, the energy of 147keV, the dose of 2 × 10 ~ (15) / cm ~ 2 and the beam current of 20-140μA (beam current intensity of 0.41-2.86μA / cm ~ 2) The <100> Si samples after BF_2 ~ + implantation were analyzed for the depth distribution of ion implantation damage and the change of the displacement atomic concentration, and the details of the beam effect of the surface damage observed by the conventional backscattering channel analysis technique were found , And discussed these phenomena.
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