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报道了一个与Ｒｉｂｅｒ３２Ｒ＆Ｄ分子束外延系统联用并可在材料生长过程中同时检测材料衬底温度的简易红外探测装置，介绍了用该装置所实现的生长过程恒温控制改善了ＧａＡｓ外延材料晶格的完整性。
用于分子束外延衬底温度检测的红外探测装置
【摘 要】
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报道了一个与Ｒｉｂｅｒ３２Ｒ＆Ｄ分子束外延系统联用并可在材料生长过程中同时检测材料衬底温度的简易红外探测装置，介绍了用该装置所实现的生长过程恒温控制改善了ＧａＡｓ外延材料晶格的完整性。
【机 构】
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中科院红外物理国家实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1995年3期
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