【摘 要】
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以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为功能性衬底,采用化学气相沉积法制备了GaN/Si-NPA异质结。实验发现,在富镓条件下GaN生长过程中容易引入镓空位和氮间隙等点缺陷,从而对异质结的发
【机 构】
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郑州大学物理学院,材料物理教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(11974016)。
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以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为功能性衬底,采用化学气相沉积法制备了GaN/Si-NPA异质结。实验发现,在富镓条件下GaN生长过程中容易引入镓空位和氮间隙等点缺陷,从而对异质结的发光及电学特性产生不良影响。在氨气氛围中进行高温退火后,GaN/Si-NPA的光致发光谱发生明显变化,对应于缺陷发光的黄光发光峰强度和半高宽明显减小,反映出GaN中点缺陷种类和浓度均显著减少。进一步的电学性能测试结果显示,GaN/Si-NPA异质结在退火前后均具有整流效应,但退火后异质结的漏电流密度显著减小,开启电压、正向电流
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