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介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。
亚微米自对准工艺
【摘 要】
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介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。
【机 构】
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电子部第十三所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1999年3期
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