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研究了热退火对InGaN／GaN多量子阱LED的Ni／Au-·p-GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N：气氛中交替地进行热退火的过程中Ni／Au接触特性显示出可逆现象。Ni／’Au．p_GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小。在随后的Nz中的热退火后会使该串联电阻增加，但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni／Au—p-GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。