【摘 要】
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采用水热法和氮化法相结合的手段,在优化的实验条件下,获得了生长在导电碳纸上的多孔氮化钼(Mo2N)纳米带阵列.首先采用水热法在碳纸上原位合成了高密度的MoO3纳米带阵列.随后的氮化反应遵循固态拓扑反应机理,形成了具有密排介孔的Mo2N纳米带阵列.Mo2N/C不需要粘合剂可以直接作为电极使用.在不负载贵金属的情况下,Mo2N/C表现出较优异的电催化析氢性能.在10 mA·cm-2电流密度时,其过电位约为-180 mV;Tafel斜率约为81 mV/dec.与MoO3/C相比,Mo2N/C的η10值低约-60
【机 构】
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合肥工业大学分析测试中心 合肥230009;先进功能材料与器件安徽省重点实验室 合肥230009;先进功能材料与器件安徽省重点实验室 合肥230009;合肥工业大学材料科学与工程学院 合肥230009
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采用水热法和氮化法相结合的手段,在优化的实验条件下,获得了生长在导电碳纸上的多孔氮化钼(Mo2N)纳米带阵列.首先采用水热法在碳纸上原位合成了高密度的MoO3纳米带阵列.随后的氮化反应遵循固态拓扑反应机理,形成了具有密排介孔的Mo2N纳米带阵列.Mo2N/C不需要粘合剂可以直接作为电极使用.在不负载贵金属的情况下,Mo2N/C表现出较优异的电催化析氢性能.在10 mA·cm-2电流密度时,其过电位约为-180 mV;Tafel斜率约为81 mV/dec.与MoO3/C相比,Mo2N/C的η10值低约-60 mV,Tafel斜率低约94 mV/dec.氮化后催化析氢性能有很大的提升,多孔Mo2N纳米带/C有望应用于非贵金属自支撑型析氢催化剂.
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