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利用脉冲电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板中制备了Ni纳米管阵列。通过扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD)研究了不同沉积时间对Ni纳米管生长过程的影响。实验表明随着沉积时间的增加Ni纳米结构由Ni纳米颗粒堆积物到Ni纳米管再到Ni纳米线变化。最终发现沉积1h所得的Ni纳米管具有较好的微观形貌。通过振动样品磁强计(VSM)对Ni纳米管阵列的磁学性能进行研究,发现纳米管在平行于纳米线轴的方向的矫顽力为241Oe,矩形比为0.19,Ni纳米管阵列有高的各向异性。