论文部分内容阅读
利用一种新颖的高气压介质阻挡放电（DBD）等离子体下游区装置，以CH4、H2和Ar气体分别作为碳源与稀释气体，成功地进行了快速合成类金刚石薄膜的探索。实验分别研究了不同气体比例条件下类金刚石薄膜的生长情况，并对所合成的薄膜分别进行了水接触角、表面粗糙度、红外光谱和Raman光谱测试分析。结果表明，在放电等离子体下游区能够快速沉积特征峰明显的类金刚石薄膜，充分体现了高气压介质阻挡放电在材料合成方面的优势。