【摘 要】
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阐述了最近出现的几种器件的原理，诸如超级结型(Super Junction)MOSFET，IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V范围的阻断能力，并适用于不同的领域。最新一
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阐述了最近出现的几种器件的原理，诸如超级结型(Super Junction)MOSFET，IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V范围的阻断能力，并适用于不同的领域。最新一代CoolMOS(低损耗MOS场效应管)在额定脉冲电流容量下能兼有极高的通态导电率和超快的开关速度。其阻断电压能力可复盖由500～800V的范围。在许多应用场合，CoolMOS的杰出开关性能由于缺少能与动态特性相匹配的二极管而不能被利用。由于这个原因随之开发了一个完整的SiC二极管系列，以获得开关器件和超快
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