【摘 要】
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在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上,提出了一种新型高阶补偿技术,并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS0.15μmBCD工艺对提
【机 构】
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南开大学IC设计与系统集成实验室天津市光电传感器与传感网络技术重点实验室,南开大学IC设计与系统集成实验室天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
【基金项目】
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天津市科技计划项目(14ZCZDGX00034)
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在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上,提出了一种新型高阶补偿技术,并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS0.15μmBCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明,该基准电路的输出电压平均值为539mV;在宽温度范围(-60℃~120℃)内,温度系数为1.40ppm/℃;环境温度为27℃,电源电压在1.3V~2.1V范围内时,输出电压的线性调整率为0.0019%,电源抑制大于84dB@100Hz。
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