碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量

来源 :第二届全国先进焦平面技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:robert198121
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本研究采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器/放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数,认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明:四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18~407ns之间。
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