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在AIN压电薄膜上（以SiO2／Si为衬底），使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路，制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明，该滤波器的插入损耗低于10dB，带外衰减高于45dB。
AlN薄膜有源SAW滤波器集成及性能研究
【摘 要】
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在AIN压电薄膜上（以SiO2／Si为衬底），使用MOS集成电路工艺制作叉指电极和单元电路，制成中心频率为320MHz的有源SAW滤波器并进行了测试。结果表明，该滤波器的插入损耗低于10dB，带外衰
【机 构】
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贵州大学电子科学系
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2007年11期
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