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用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.
SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试
【摘 要】
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用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成
【机 构】
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贵州大学电子科学系
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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1994年2期
【基金项目】
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贵州省科委“七五”攻关项目北京中关村分析测试中心的基金资助
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