【摘 要】
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意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmesh TM DM2超结制造工艺,击穿电
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意法半导体针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmesh TM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复
STMicroelectronics introduced a new family of high-voltage N-channel power MOSFETs for the automotive market. The new products are AEC-Q101 certified for automotive testing and feature the latest STMicroelectronics MDmesh TM DM2 super-junction process with fast recovery diodes in the breakdown voltage range of 400V to 650V and D2PAK, TO-220 and TO-247 Three kinds of package. Two new 400V and 500V products are the first AEC-Q101 certified power MOSFETs in its class, while the 600V and 650V products outperform existing competing products. A full range of products designed for automotive applications, integrated rapid recovery
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