氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

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【摘要】

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利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124 nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1)结构. 在

【作者】

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顾广瑞李英爱刘艳梅陶艳春何志殷红李卫青冯伟白

【机构】

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吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林大学化学学院,吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,吉林省科学技术厅,吉林大学超硬材料国家重点实验室

【出处】

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吉林大学学报：理学版

【发表日期】

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2003年3期

【关键词】

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氮化硼薄膜薄膜厚度场发射特性薄膜结构阈值电压表面粗糙度场发射显示器 BN thin film field emission thickness

【基金项目】

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国家自然科学基金

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利用射频磁控溅射方法, 在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124 nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1)结构. 在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm2. BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发

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