【摘 要】
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基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜，通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量，得出在溅射时间60 min不变的情况下，退火时间和退火温度分别为60 s和560 ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化，计算结果表明电导率实部在103 Ω-1·cm-1
【机 构】
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天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室透射光电信息技术教育部重点实验室,天津300072
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基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜，通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量，得出在溅射时间60 min不变的情况下，退火时间和退火温度分别为60 s和560 ℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化，计算结果表明电导率实部在103 Ω-1·cm-1 量级，并基于Drude模型得到了金属态氧化钒薄膜的复介电常数以及复折射率。在绝缘衬底上制备的具有明显阈值激发功率且相变深度大的氧化钒薄膜将在太赫兹调制器件中有重要应用。
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