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高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战.本文设计了一款4-Mb(512K×8bit)的高速、低功耗静态存储器(SRAM).它采用0.25μm CMOS标准工艺和传统的六管单元.文章分析了影响存储器速度和功耗的原因,重点讨论了存储器的总体结构、灵敏放大器及位线电路.通过系统优化,达到15ns的存取时间.