【摘 要】
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用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓（GaOOH）菱形截面棒状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表
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用GaCl3溶液和NH3.H2O反应成功制备了羟基氧化镓（GaOOH）菱形截面棒状粉体。用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）对产物进行了表征,并探讨了GaOOH晶体的生长机理。结果表明：GaOOH粉体表现为分散性较好的短棒状,长度分布在2~4μm,绝大多数粉体的长径比为4左右;菱形截面是由{110}晶面族的（110）、（1-1 0）、（-1 1 0）以及（-1-1 0）四个等效晶面分别沿着[-4 1 0]、[-4-1 0]、[410]和[4-1 0]晶体学方向均匀长大而成。
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