论文部分内容阅读
用大束流密度的钛金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钛生长，薄层硅化物的薄层电阻明显下降，当束流密度（Ｊ）为０．７５Ａ／ｍ＾２时，达到最小值１６Ω／□，电阻率达到０．６４μΩｍ。经过１０５０℃快速退火２０ｓ后，Ｒｓ可下降到２．２Ω／□，说明退火可进一步硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明，枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ