【摘 要】
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<正> 如所周知,一般的高精度A/D转换器,常在制造过程中利用激光技术对芯片上的薄膜电阻进行精密修正以确保器件的性能,使其精度指标不劣于器件最低位(LSB)的权重。然而,随着
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<正> 如所周知,一般的高精度A/D转换器,常在制造过程中利用激光技术对芯片上的薄膜电阻进行精密修正以确保器件的性能,使其精度指标不劣于器件最低位(LSB)的权重。然而,随着器件分辩率的不断提高,激光修正技术也逐渐显露出一定的局限性。例如,对于16位的转换器件来说,即使芯片已经严格修正,但在封装之际,芯片上薄膜电阻性状的细微变化,便可能足以使最终产品的转换误差超出容许范围。另外,激光修正工艺需要连续监测电阻阻值并予精密实时控制,故而成本较高,产品合格率亦不易保证。再者,对于器件制成之后随着时间
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