用不同的近似方法计算有晶体中强耦合磁极化子有效质量与温度的关系

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:asdofu0q84313480
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用改进的线笥组合算符法研究极性晶体中强耦合磁极化子的有效质量与温度的关系。详细讨论了在不同的近似计算程度情况下有效质量的温度特性。结果表明:不同的的似计算程度可给出磁极化子有效质量随温度的升高而增加和减小两种戴然相反的结论。
其他文献
近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。
本文报道了Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在UVU-UV区的激发光谱及Eu^3+在可见区的发射光谱,其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu^3+-O^2-电荷
铈激活的钇铝石榴石(YAG:Ce)由高温固相反应制备.样品证明为纯的的石榴石物相.YAG:Ce的激发光谱为双峰结构,主要激发峰在460nm,与GaN的蓝光发射匹配.YAG:Ce的发射光谱为一宽
报道了利用铝膜作掩模,通过紫外光照射制备键合型聚合物DANSPMMA脊形光波导的新方法.所制备的聚合物脊形光波导,其形状与通常的脊形波导相同,但内部折射率又与矩形波导类似.
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化.形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段.利用原子力显微镜有数
报道了一种最新型可用于1.5μm光纤通信传输介质的掺Er3+的磷酸盐玻璃,通过对其吸收谱的测量,可看到在970nm附近有一很强的吸收峰,适合于采用LD激光泵浦.我们在发射波长为970
利用MBE生长技术,成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜,利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明,在不同晶向SrTiO3上生长的GaAs薄膜
用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变Ⅱ/Ⅵ流量比)在300 ̄400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜。随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜。文 讨论了衬
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶
利用反应离子刻蚀(RIE)和湿法腐蚀方法在InGaAs/InGaAsP多量子阱材料上研制出直径为8μm、4.5μm和2μm的碟型半导体微腔激光器。其中2μm直径的微碟在液氮温度下其光泵浦激射阈值仅为3μW左右。对高光功经工